半导体激光器 在半导体二极管的P一N 结上加正向偏压，使有活动能力的电子从N侧溢出到P侧，于是造成P侧粒子数反转，当电子从高能级跃迁到低能级而与空穴复合时就产生受激辐射。半导体激光器的优点是体积小，能以很低的输入功率工作。辐射仅在结区产生，反射镜直接涂覆在结的两端。半导体激光器可用于光导纤维通信中，其典型代表是砷化镓二极管红外激光器，输出波长约为0.9徽米。目前性能较好而应用较广的是双异质结构砷化镓二极管激光器。 激光器可以用光泵照射、通电、加热、化学反应和核能进行激励.以造成粒子数反转。输出的激光可以是脉冲形式的，也可以是连续波形式的。有一种所谓调Q技术，可将产生脉冲激光的过程人为地控制在极短的时间间隔内，从而获得功率极高的短脉冲激光输出。为此，需要在共振腔内设置一个相当于快门的快速光开关，在对工作物质的激励作用开始后的一段时间内，光开关处于关闭状态，于是切断了腔内光子往返的通路，因此虽然高能级的粒子数不断增多，但在腔内却不能形成振荡。当粒子数反转程度达到最大时，迅速将光开关打开，这样就开通了腔内光子的往返路径，在极短的时间内便能形成很强的激光脉冲。

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