长飞公司成功开发出国内最大芯数气吹微型光缆 光纤通信作为速度最快、传输质量最好的通信方式而被广泛使用。然而在网络建设上，随着管道资源的紧张，用户对管道的空间利用率、施工效率和维护的便利性等提出了更高的要求，气吹微管微缆技术作为一种成熟的光缆网络敷设技术，已在海外市场被广泛使用。 长飞公司采用普通单模光纤成功开发出目前国内最大芯数的气吹微缆产品。该产品在一根直径仅11 mm的光缆中容纳了432根光纤，光缆中光纤密度高达4.4 F/mm2，可以很好地应用于16/13.5 mm管道中进行气吹敷设。   武汉光电国家实验室研制出世界最大金属零件高精度3D打印装备 金属零件的激光3D打印技术是各种3D打印技术中难度系数最大、也最受国内外关注的方向之一。我国在基于自动铺粉的激光选区熔化成形技术（Selective Laser Melting，SLM）,与国际先进水平相比有较大差距，大部分装备依赖进口。     华中科技大学武汉光电国家实验室曾晓雁教授课题组，经过十年的长期努力，首次在SLM装备中引入双向铺粉技术，其成形效率高出同类装备的20%~40%，标志着我国自主研制的SLM成形技术与装备达到了国际先进水平。   长春光机所研制世界面积最大高精度衍射光栅
  长春光机所承担的国家重大科研装备研制项目 大型高精度衍射光栅刻划系统 ，研制出在1 mm距离里划出6000道刻槽并且保持槽型均匀，刻槽间距误差小于一根头发丝的千分之一，成为世界上面积最大的高精度中阶梯光栅。   炬光科技基于巴条的高功率半导体激光器封装关键技术及工业化应用
  炬光科技开展了高功率半导体激光器封装基础科学问题研究，突破了封装技术和工艺瓶颈，开发了关键封装和测试装备，形成自主知识产权的高功率半导体激光器封装技术体系，刷新多项国内及国际记录。并率先以 产-学-研 模式进行成果转化，建立年产能达50万支能力，多款产品的整体性能达国际先进水平。   武汉邮科院光传输刷新世界纪录，一根光纤可供48 亿人同时通话 随着AR/VR、4K 高清等技术不断涌现，在互联网+、物联网、大数据、云计算、智慧城市等多个产业领域，都依赖海量数据的高速传输，这就需要底层的信息高速公路越宽越好。   武汉邮科院最新研制的光传输纪录，达到每秒400 T，相当于1 s可传输4万部蓝光高清电影、一根头发丝粗细的光纤可容纳全球48 亿人同时在线通话。 这一重大突破，在于攻克了特殊多芯单模光纤技术，能支撑超大容量光传输。为了这一技术，邮科院投入的研发经费已超过10 亿元。   高德红外研制国产红外探测器打破国外40 多年技术封锁 湖北武汉高德红外公司历时8年攻坚，研发投入总计超过20亿元，使红外热传像核心探测器实现完全自主研发，打破了西方长达40余年的封锁。  2016年上半年，我国首条非制冷红外焦平面探测器生产线在高德红外投产，满产后可年产上百万支探测器，军民两用。另一条更为先进的制冷红外焦平面探测器生产线，可年产四五千支探测器，主要用于高端武器装备。   在夜间完全无光源的情况下，形同 超级猫眼 的探测器可清晰夜视几十公里，跟踪空中飞机目标距离可达300~400 km。   天津东方锐镭公司研制出国产1.2万瓦工业级光纤激光器 驻津央企中国电子科技集团公司光电研究院天津东方锐镭公司联合国防科学技术大学高能激光技术团队，成功研制出功率达1.2万瓦的工业级光纤激光器，其综合性能指标达国际一流水准。此前，高功率光纤激光器被国外少数几家企业垄断。该产品的问世，使得国产万瓦光纤激光器水平再上新台阶。   禾赛科技发布首台国产32线激光雷达 在第十八届中国国际工业博览会上, 禾赛科技首次对外公布了无人驾驶及辅助驾驶可用的32线激光雷达（LiDAR），并大胆公布实测视频。 目前，激光雷达处于 有赛道，有赛手，没有裁判员 的局面，各生产商纸面上的量化指标非常接近，只能通过实测效果来分辨高下。该产品采用混合固态设计，水平视场角360 ，垂直视场角30 ，可实现150米探测距离，已完成大量公开路测。   禾赛科技表示，其从设计之初，就注重自动化装调，未来可在1万台订单量的情况下将单价控制在500美金，甚至更低。   我国首部全固态太赫兹成像雷达系统样机研制成功 太赫兹技术是近年来国内外的研究热点。这次研制的太赫兹成像雷达系统由中国电科14所智能感知技术重点实验室研制，并获得首幅ISAR图像，成像分辨率、成像副瓣电平等指标均达到预期效果，标志着中国电科的太赫兹成像雷达相关技术已经达到国内一流、国际先进水平。   宁波诺丁汉大学研发出可商业化量产的可调激光器芯片 宁波诺丁汉大学章雅平教授带领的团队研发出了商业化量产可调激光器芯片，填补了我国在商用高端光电子芯片领域的空白，让我国不仅拥有了高端光电子 中国芯 ，还在同类技术发展方面达到、甚至超过国际先进水平。 目前，该商业化量产芯片的成品率已经达到85%以上，芯片的连续波出光功率普遍达到70~120 mW以上，单个芯片的波长连续可调谐范围为8.5~10 nm，调谐速度为纳秒级。